沿革

歴史はいつも序章、ザインのステージは未来です。
2017年02月 中期経営戦略「J-SOAR」スタート
2014年01月 中期経営戦略「REGROW」スタート
2013年10月 前海賽恩電子(深圳)有限公司上海分公司の設立を決定
2013年05月 前海賽恩電子(深圳)有限公司(THine Electronics Shenzhen Co., Ltd.)を設立
2012年11月 賽恩電子香港股份有限公司(THine Electronics Hong Kong Co., Ltd.)を設立
2012年05月 本社を東京都千代田区神田美土代町に移転
2012年01月 中期経営戦略「TACK2Win.」スタート
2011年02月 台湾ファブレス企業Dazzo Technology社への資本参加
2010年04月 THine Electronics Korea, Inc.を韓国現地法人として設立
2010年01月 携帯電話向け世界最高速画像処理LSI事業製品の量産出荷開始
本社を東京都千代田区丸の内(丸の内トラストタワー本館)に移転
2009年01月 ISP事業譲受けによりザイン・イメージング・テクノロジ株式会社発足(2009年に事業統合完了)
2008年07月 神田オフィス開設
2007年02月 中期方針「Act3-3-3」―「第3の創業」により3年間で新製品利益力を3倍に
2006年02月 アライアンス―日本の優れたチーム・人財とともに
エレクトロニクス業界特化型ベンチャーファンド「イノーヴァ」を設立
2005年03月 戦略市場―自動車
車載用LSI製品の量産出荷開始
HBS(ハーバード大学ビジネススクール)アントレプレナー・オブ・ザ・イヤー賞を受賞
2004年11月 電源制御用LSI製品の量産出荷開始
2004年06月 第6回企業家賞を受賞
2004年04月 戦略市場―携帯電話・基地局
高周波無線(RF)製品を量産出荷開始し、RF事業に参入
2003年08月 京都デザインセンターの開設に伴い、子会社ギガテクノロジーズ株式会社解散
2003年05月 本社を東京都中央区日本橋本町へ移転
2003年02月 株式分割実施 分割比率1:3
2003年01月 九州デザインセンター開設
2002年12月 第13回東洋経済賞アントレプレナー・オブ・ザ・イヤーを受賞
2002年05月 地域展開―各地の優れた頭脳・人財とともに
ギガテクノロジーズ株式会社(京都)へ資本参加し連結対象子会社化
2002年02月 株式分割実施 分割比率1:3
2002年01月 日経BP社主催 2001ベンチャー・オブ・ザ・イヤー受賞
2001年10月 EOY(Entrepreneur of the Year)JAPAN 2001大賞受賞
2001年08月 IPO―パブリックな企業存在への第一歩
JASDAQ市場へ新規株式公開(IPO)
有償一般募集 資本金10億9,620万円
2001年06月 ADC製品がLSIデザイン・オブ・ザ・イヤー2001 デバイス部門優秀賞受賞
2001年04月 高速テスター専用施設を独自開設 新製品開発の評価フィードバックに活用
2001年02月 シリコンテクノロジー株式会社へ出資
2000年12月 株式分割実施 分割比率1:3
新株発行増資 資本金8億9,220万円
2000年11月 株式会社IPTCへ大手半導体メーカーと12社により共同出資
2000年10月 海外展開―日本・台湾から世界市場へ
哉英電子股份有限公司(THine Electronics Taiwan, Inc.)を台湾現地法人として設立
製造委託管理・台湾市場の販売統括体制を強化
2000年01月 株式会社ザイン・マイクロシステム研究所をザインエレクトロニクス株式会社に吸収合併
本社を東京都中央区八丁堀へ移転
第10回「ニュービジネス大賞」アントレプレナー大賞最優秀賞を受賞
1999年12月 ザインエレクトロニクス株式会社の第三次第三者割当増資を実施 資本金7億9,620万円
1998年09月 株式会社ザイン・マイクロシステム研究所の株式をザインエレクトロニクス株式会社にて買取り、100%子会社化
ザインエレクトロニクス株式会社の第二次第三者割当増資を実施 資本金1億7,220万円
1998年05月 戦略市場―フラットパネル・ディスプレイ、テレビ
ザインエレクトロニクス株式会社の第一次第三者割当増資を実施 資本金1億5,300万円
液晶ディスプレイ向けデジタル信号処理チップの量産出荷本格化、半導体ファブレスメーカーのビジネスモデル完成
1998年04月 ザインエレクトロニクス株式会社の既存株主へ割当増資を実施 資本金5,700万円
1998年03月 ザインエレクトロニクス株式会社の株式取得手続(Management Buy Out)完了
1997年02月 第2の創業―自社ブランド・ファブレス半導体メーカーへ
ザインエレクトロニクス株式会社について、三星電子との合弁形式による経営を発展的に解消することで合意
自社ブランドによる液晶ディスプレー向けデジタル信号処理チップのサンプル出荷開始
1995年06月 株式会社ザイン・マイクロシステム研究所の第三者割当増資を実施 資本金5,000万円
光友股分有限公司(台湾)・光菱電子股分有限公司(台湾)と合弁により旭展電子股分有限公司を台湾に設立
1993年01月 株式会社ザイン・マイクロシステム研究所の本社を東京都中央区日本橋大伝馬町へ移転
1992年06月 サムスン電子とのジョイントベンチャー
株式会社ザイン・マイクロシステム研究所と三星電子株式会社(韓国)との合弁により、東京都中央区日本橋大伝馬町にザインエレクトロニクス株式会社を設立
資本金3,000万円 三星電子(韓国)向けメモリー開発設計を開始
1991年05月 創業の地―つくば  パブリックな企業を目指しTHine(yoursの古語)と命名
茨城県つくば市に株式会社ザイン・マイクロシステム研究所を設立
資本金3,200万円 半導体メーカーからの受託設計を開始