電気的特性LVDS
THC63LVDF(R)84BとTHC63LVDF(R)84Cはピンコンパチブルですが、下記の点で異なります。

　　　　　　　　　   　　　　　THC63LVDF(R)84B　　　THC63LVDF(R)84C
動作周囲温度                                          -10 - 70℃　　　　　           -40 - 85℃
動作電圧                                                  2.5 - 3.6V                                3.0 - 3.6V
動作周波数                                              15 - 85MHz                            8 - 112MHz

消費電流
　Gray scale pattern時　　　　　　　Typ. 41mA                         Typ. 55mA
　Warst case pattern時　　　　　      Typ. 72mA                          Typ. 90mA
　パワーダウン時　　　　　　　　　Max. 10uA　　　　          Max. 500uA

LVCMOS出力
　CLKOUTドライブ能力　　　　　　　　4mA                                8mA
　CLKOUT Duty ”H”時間(ns)                 Typ. 4*T/7                          Typ. T/2
　CLKOUT Duty "L"時間(ns)                   Typ. 3*T/7                          Typ. T/2
   データセットアップ時間(ns)　 　 Min. 0.35*T-0.3                   Min. 4*T/7-1
   データホールド時間(ns)                   Min. 0.45*T-1.6                  Min. 3*T/7-1

入出力遅延時間(ns)　　　　　　　　Typ. 5T/7                       Typ. (3/14+3)*T

LVDS 入力におけるクロック・データ間のスキュー許容時間(tSK)については前提となる
動作周波数が異なるため、データシートに記載された値が異なります。
ただし動作周波数85MHzにおける入力スキュー許容時間は共に±0.4nsで同等です。

THC63LVDF(R)84BからTHC63LVDF(R)84Cへ置き換えは殆どの場合問題ありませんが、
THC63LVDF(R)84CではLVCMOS出力のドライブ能力が向上しているため不要輻射が増加
する場合がありますのでご注意ください。

 

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