沿革
歴史はいつも序章、
ザインのステージは未来です。
ザインのステージは未来です。
| 2012年5月 | 本社を東京都千代田区神田美土代町に移転 |
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| 2012年1月 | 中期経営戦略「TACK2Win.」スタート |
| 2011年2月 | 台湾ファブレス企業Dazzo Technology社への資本参加 |
| 2010年4月 | THine Electronics Korea, Inc.を韓国現地法人として設立 |
| 2010年1月 | 携帯電話向け世界最高速画像処理LSI事業製品の量産出荷開始 本社を東京都千代田区丸の内（丸の内トラストタワー本館）に移転
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| 2009年1月 | ISP事業譲受けによりザイン・イメージング・テクノロジ株式会社発足（2009年に事業統合完了） |
| 2008年7月 | 神田オフィス開設 |
| 2007年2月 | 中期方針「Act3-3-3」―「第3の創業」により3年間で新製品利益力を3倍に |
| 2006年2月 | アライアンス―日本の優れたチーム・人財とともに エレクトロニクス業界特化型ベンチャーファンド「イノーヴァ」を設立 |
| 2005年3月 | 戦略市場―自動車 車載用LSI製品の量産出荷開始 HBS（ハーバード大学ビジネススクール）アントレプレナー・オブ・ザ・イヤー賞を受賞 |
| 2004年11月 | 電源制御用LSI製品の量産出荷開始 |
| 2004年6月 | 第6回企業家賞を受賞 |
| 2004年4月 | 戦略市場―携帯電話・基地局 高周波無線（RF）製品を量産出荷開始し、RF事業に参入 |
| 2003年8月 | 京都デザインセンターの開設に伴い、子会社ギガテクノロジーズ株式会社解散 |
| 2003年5月 | 本社を東京都中央区日本橋本町へ移転 |
| 2003年2月 | 株式分割実施 分割比率1：3 |
| 2003年1月 | 九州デザインセンター開設 |
| 2002年12月 | 第13回東洋経済賞アントレプレナー・オブ・ザ・イヤーを受賞 |
| 2002年5月 | 地域展開―各地の優れた頭脳・人財とともに ギガテクノロジーズ株式会社（京都）へ資本参加し連結対象子会社化 |
| 2002年2月 | 株式分割実施 分割比率1：3 |
| 2002年1月 | 日経BP社主催 2001ベンチャー・オブ・ザ・イヤー受賞 |
| 2001年10月 | EOY（Entrepreneur of the Year）JAPAN 2001大賞受賞 |
| 2001年8月 | IPO―パブリックな企業存在への第一歩 JASDAQ市場へ新規株式公開（IPO） 有償一般募集 資本金10億9,620万円 |
| 2001年6月 | ADC製品がLSIデザイン・オブ・ザ・イヤー2001 デバイス部門優秀賞受賞 |
| 2001年4月 | 高速テスター専用施設を独自開設 新製品開発の評価フィードバックに活用 |
| 2001年2月 | シリコンテクノロジー株式会社へ出資 |
| 2000年12月 | 株式分割実施 分割比率1：3 新株発行増資 資本金8億9,220万円 |
| 2000年11月 | 株式会社IPTCへ大手半導体メーカーと12社により共同出資 |
| 2000年10月 | 海外展開―日本・台湾から世界市場へ 哉英電子股份有限公司（Taiwan THine Electronics, Inc.）を台湾現地法人として設立製造委託管理・台湾市場の販売統括体制を強化 |
| 2000年1月 | 株式会社ザイン・マイクロシステム研究所をザインエレクトロニクス株式会社に吸収合併 本社を東京都中央区八丁堀へ移転 第10回「ニュービジネス大賞」アントレプレナー大賞最優秀賞を受賞 |
| 1999年12月 | ザインエレクトロニクス株式会社の第三次第三者割当増資を実施 資本金7億9,620万円 |
| 1998年9月 | 株式会社ザイン・マイクロシステム研究所の株式をザインエレクトロニクス株式会社にて買取り、100％子会社化 ザインエレクトロニクス株式会社の第二次第三者割当増資を実施 資本金1億7,220万円 |
| 1998年5月 | 戦略市場―フラットパネル・ディスプレイ、テレビ ザインエレクトロニクス株式会社の第一次第三者割当増資を実施 資本金1億5,300万円 液晶ディスプレイ向けデジタル信号処理チップの量産出荷本格化、半導体ファブレスメーカーのビジネスモデル完成 |
| 1998年4月 | ザインエレクトロニクス株式会社の既存株主へ割当増資を実施 資本金5,700万円 |
| 1998年3月 | ザインエレクトロニクス株式会社の株式取得手続（Management Buy Out）完了 |
| 1997年2月 | 第2の創業―自社ブランド・ファブレス半導体メーカーへ ザインエレクトロニクス株式会社について、三星電子との合弁形式による経営を発展的に解消することで合意 自社ブランドによる液晶ディスプレー向けデジタル信号処理チップのサンプル出荷開始 |
| 1995年6月 | 株式会社ザイン・マイクロシステム研究所の第三者割当増資を実施 資本金5,000万円 光友股分有限公司(台湾)・光菱電子股分有限公司(台湾)と合弁により旭展電子股分有限公司を台湾に設立 |
| 1993年1月 | 株式会社ザイン・マイクロシステム研究所の本社を東京都中央区日本橋大伝馬町へ移転 |
| 1992年6月 | サムスン電子とのジョイントベンチャー 株式会社ザイン・マイクロシステム研究所と三星電子株式会社（韓国）との合弁により、東京都中央区日本橋大伝馬町にザインエレクトロニクス株式会社を設立 資本金3,000万円 三星電子（韓国）向けメモリー開発設計を開始 |
| 1991年5月 | 創業の地―つくば パブリックな企業を目指しTHine（yoursの古語）と命名 茨城県つくば市に株式会社ザイン・マイクロシステム研究所を設立 資本金3,200万円 半導体メーカーからの受託設計を開始 |
